في العام الماضي، قامت شركة سامسونج بإصدار رقاقة الذاكرة eUFS 3.0 التي يمكن أن تصل سرعتها على مستوى الكتابة إلى 410 ميغابايت في الثانية، والآن بدأت الشركة الكورية الجنوبية في تصنيع رقاقة الذاكرة eUFS 3.1 والتي تبلغ سعتها 512GB مع العلم بأن رقاقة الذاكرة هذه ستكون أسرع بنحو ثلاث مرات على مستوى...