إلى جانب تصنيع شرائح Exynos التي تصممها سامسونج بنفسها، تعمل الشركة على تصنيع شرائح بناءً على التصميمات المقدمة من شركات الجهات الخارجية مثل كوالكوم.
فقد تم تصميم معالج تطبيقات Snapdragon 865 (AP) بواسطة TSMC باستخدام تقنية تصنيع 7 نانومتر. وبالنسبة لمجموعة شرائح Snapdragon 888 ذات 5 نانومتر، عادت كوالكوم إلى سامسونج واستمرت في الاعتماد على مصنع الشركة الكورية لإنتاج Snapdragon 8 Gen 1 بتقنية تصنيع 4 نانومتر.
ولكن في شهر فبراير، انتشرت تقارير تفيد بأن عائد مصنع Samsung Foundry على تقنية تصنيع 4 نانومتر كان 35٪ فقط. وما يعنيه هذا هو أن 35٪ فقط من الشرائح يمكن أن تمر عبر مراقبة الجودة.
وبينما قالت شركة سان مؤخرًا إن عائداتها تتحسن، فإن هناك تقرير جديد من Business Post يقول إن العوائد على عقدة عملية 3 نانومتر من سامسونج لا تزال أقل بكثير من هدف الشركة.
وبينما ظهرت بنية الترانزستور (GAA) الخاصة بشركة Samsung Foundry’s Gate-all-around (GAA) لأول مرة مع تقنية تصنيع 3 نانومتر، كان إنتاج Samsung Foundry في بداية إنتاج 3 نانومتر يتراوح من 10٪ إلى 20٪.
لا يعتبر هذا العائد منخفض فحسب، بل إنه أسوأ من العائد المذكور أعلاه بنسبة 35٪ الذي اختبرته سامسونج مع شريحة Snapdragon 8 Gen 1 بتقنية تصنيع 4 نانومتر.
فقد تم تصميم معالج تطبيقات Snapdragon 865 (AP) بواسطة TSMC باستخدام تقنية تصنيع 7 نانومتر. وبالنسبة لمجموعة شرائح Snapdragon 888 ذات 5 نانومتر، عادت كوالكوم إلى سامسونج واستمرت في الاعتماد على مصنع الشركة الكورية لإنتاج Snapdragon 8 Gen 1 بتقنية تصنيع 4 نانومتر.
ولكن في شهر فبراير، انتشرت تقارير تفيد بأن عائد مصنع Samsung Foundry على تقنية تصنيع 4 نانومتر كان 35٪ فقط. وما يعنيه هذا هو أن 35٪ فقط من الشرائح يمكن أن تمر عبر مراقبة الجودة.
وبينما قالت شركة سان مؤخرًا إن عائداتها تتحسن، فإن هناك تقرير جديد من Business Post يقول إن العوائد على عقدة عملية 3 نانومتر من سامسونج لا تزال أقل بكثير من هدف الشركة.
وبينما ظهرت بنية الترانزستور (GAA) الخاصة بشركة Samsung Foundry’s Gate-all-around (GAA) لأول مرة مع تقنية تصنيع 3 نانومتر، كان إنتاج Samsung Foundry في بداية إنتاج 3 نانومتر يتراوح من 10٪ إلى 20٪.
لا يعتبر هذا العائد منخفض فحسب، بل إنه أسوأ من العائد المذكور أعلاه بنسبة 35٪ الذي اختبرته سامسونج مع شريحة Snapdragon 8 Gen 1 بتقنية تصنيع 4 نانومتر.
