ناقشت رسالة ماجستير في جامعة بابل، تأثيرات الإجهاد والمجال الكهربائي على التركيب الإلكتروني والخصائص البصرية لـGaN/BAsمتغاير البُنى.
وتضمنت الرسالة التي قدمها الطالب علي عبد عون عطيه، إجراء حسابات المبادئ الأولية لاستقصاء الخصائص البصرية والإلكترونية لثنائي الأبعاد GaN/Bas فان دير فالس متغاير البنى.
وأثبتت نتائج الرسالة، أن متغايرة البُنى GaN/BAs هي أشباه موصلات ومستقرة ديناميكيا وفقا لحسابات الفونون، وأن التكدسABو BBيمتلك فجوات طاقة غير مباشرة تبلغ حوالي 1.71 و1.685الكترون فولت على التوالي، كما أشارت إلى أن تكديسAA يظهر فجوة طاقة مباشرة مقدارها 0.676 الكترون فولت.
وتضمنت الرسالة التي قدمها الطالب علي عبد عون عطيه، إجراء حسابات المبادئ الأولية لاستقصاء الخصائص البصرية والإلكترونية لثنائي الأبعاد GaN/Bas فان دير فالس متغاير البنى.
وأثبتت نتائج الرسالة، أن متغايرة البُنى GaN/BAs هي أشباه موصلات ومستقرة ديناميكيا وفقا لحسابات الفونون، وأن التكدسABو BBيمتلك فجوات طاقة غير مباشرة تبلغ حوالي 1.71 و1.685الكترون فولت على التوالي، كما أشارت إلى أن تكديسAA يظهر فجوة طاقة مباشرة مقدارها 0.676 الكترون فولت.
