بعد فترة قصيرة من الإعلان الرسمي عن سلسلة هواتف Galaxy S10 Series، تقدمت شركة سامسونج بإعلان كبير آخر. يمكن للمرء أن يجادل على أنه لا يقل أهمية عن قطاع الأجهزة المحمولة ككل. نحن نتحدث عن رقاقة تخزينية جديدة بسعة 512GB تستند على تكنولوجيا eUFS 3.0، مما يجعلها تأتي بتحسينات على مستوى الأداء مقارنة مع الجيل السابق.
رقاقة الذاكرة الجديدة Samsung 512GB eUFS 3.0 من شركة سامسونج هي الآن حيز الإنتاج الضخم وهي تتفوق على مستوى الأداء على رقاقات الذاكرة eUFS 2.1. ذهب نائب الرئيس التنفيذي لقسم المبيعات وتسويق الذواكر في شركة سامسونج إلى أبعد من ذلك، وقال بأن المعيار الجديد يتناسب أخيرًا مع الحواسيب المحمولة الفائقة النحافة من حيث أداء الذاكرة.
يمكن أن تصل سرعة قراءة رقاقة الذاكرة الجديدة من شركة سامسونج إلى 2100 ميغابايت في الثانية، وهذا ما يمثل ضعف سرعة رقاقات eUFS 2.1 الحالية. في الواقع، سرعة القراءة أسرع أربع مرات من ذواكر SSD التقليدية التي تعمل على واجهة SATA. وعندما يتعلق الأمر بسرعة الكتابة في رقاقة الذاكرة الجديدة، فينبغي أن تصل إلى 410 ميجابايت في الثانية، وهي نفسها سرعة الكتابة التي تمتاز بها ذواكر SATA SSD.
رقاقة الذاكرة الجديدة حصلت أيضًا على ترقية على مستوى سرعة الإدخال والإخراج، فهي تمتاز بسرعة قراءة عشوائية تبلغ 63000 IOPS، في حين تمتاز بسرعة كتابة عشوائية تبلغ 68000 IOPS. وعلى سبيل المقارنة، هذا يُعتبر أسرع من بطاقات MicroSD بنحو 630 مرة.
وبالإضافة إلى رقاقات الذاكرة eUFS 3.0 بسعة 512GB، فإن شركة سامسونج تقوم الآن بإنتاج هذه الرقاقات بسعة 128GB، ولديها خطط لبدء تصنيع هذه الرقاقات كذلك بسعة 256GB و 1 تيرابايت في وقت ما خلال النصف الثاني من هذا العام.
رقاقة الذاكرة الجديدة Samsung 512GB eUFS 3.0 من شركة سامسونج هي الآن حيز الإنتاج الضخم وهي تتفوق على مستوى الأداء على رقاقات الذاكرة eUFS 2.1. ذهب نائب الرئيس التنفيذي لقسم المبيعات وتسويق الذواكر في شركة سامسونج إلى أبعد من ذلك، وقال بأن المعيار الجديد يتناسب أخيرًا مع الحواسيب المحمولة الفائقة النحافة من حيث أداء الذاكرة.
يمكن أن تصل سرعة قراءة رقاقة الذاكرة الجديدة من شركة سامسونج إلى 2100 ميغابايت في الثانية، وهذا ما يمثل ضعف سرعة رقاقات eUFS 2.1 الحالية. في الواقع، سرعة القراءة أسرع أربع مرات من ذواكر SSD التقليدية التي تعمل على واجهة SATA. وعندما يتعلق الأمر بسرعة الكتابة في رقاقة الذاكرة الجديدة، فينبغي أن تصل إلى 410 ميجابايت في الثانية، وهي نفسها سرعة الكتابة التي تمتاز بها ذواكر SATA SSD.
رقاقة الذاكرة الجديدة حصلت أيضًا على ترقية على مستوى سرعة الإدخال والإخراج، فهي تمتاز بسرعة قراءة عشوائية تبلغ 63000 IOPS، في حين تمتاز بسرعة كتابة عشوائية تبلغ 68000 IOPS. وعلى سبيل المقارنة، هذا يُعتبر أسرع من بطاقات MicroSD بنحو 630 مرة.
وبالإضافة إلى رقاقات الذاكرة eUFS 3.0 بسعة 512GB، فإن شركة سامسونج تقوم الآن بإنتاج هذه الرقاقات بسعة 128GB، ولديها خطط لبدء تصنيع هذه الرقاقات كذلك بسعة 256GB و 1 تيرابايت في وقت ما خلال النصف الثاني من هذا العام.
