طورت شركة سامسونغ للإكترونيات، أول ذاكرة DRAM DDR5 بسعة 512 غيغابايت بدقة تصنيع (HKMG).
وأكدت العملاق الكوري، أن وحدة الذاكرة الجديدة توفر ما يصل إلى ضعف أداء رقائق DDR4 DRAM بسرعة 7200 ميغابت في الثانية.
وتُستخدم عملية HKMG عادة في تصنيع رقائق ”المنطق“، لكن سامسونغ هي العلامة التجارية الأولى التي تستخدم هذه العملية لتصنيع شرائح DRAM.
كما تعد وحدة الذاكرة DDR5 الأحدث للشركة، مناسبة لبعض أكثر الأجهزة المتعطشة للحوسبة مثل: أجهزة الكمبيوتر العملاقة، والخوادم التي تعمل على الذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي، وتحليلات البيانات، والبحوث الطبية.
كما تستخدم وحدات DDR5 الجديدة -أيضا- تقنية من خلال السيليكون عبر (TSV) لتكديس ما يصل إلى 8 طبقات من شرائح DRAM بسعة 16 غيغابايت لتوفير سعة إجمالية تبلغ 512 غيغابايت.
وتستهلك ذاكرة DDR5 DRAM الجديدة بدقة تصنيع HKMG طاقة أقل بنسبة 13٪؛ ما يجعلها مناسبة لمراكز البيانات حيث تكون كفاءة الطاقة مهمة.
والجدير بالذكر، أن الشركة الكورية الجنوبية استخدمت في وقت سابق عملية HKMG لتصنيع ذاكرة GDDR6 في عام 2018 لوحدات معالجة الرسومات.
ويقوم قسم أشباه المُوصِلات في سامسونغ -حاليا- بأخذ عينات من وحدات الذاكرة DDR5 الجديدة في أشكال مختلفة للعملاء للتحقق منها، وخلال الأسابيع القليلة المقبلة، ستحصل الوحدات النمطية على شهادة للاستخدام النهائي.
من جانبه، قال يونغ سو سون، نائب رئيس قسم تكنولوجيا ومنتجات رقاقات DRAM في سامسونغ، إن سامسونغ هي شركة أشباه الموصلات الوحيدة التي تتمتع بقدرات فائقة وخبرة لدمج تقنية HKMG المتطورة في تطوير منتجات الذاكرة.
وتابع يونغ: ”كما يمكننا أن نقدم لعملائنا حلول ذاكرة عالية الأداء وموفرة للطاقة لتشغيل أجهزة الكمبيوتر اللازمة للبحوث الطبية والأسواق المالية والقيادة الذاتية والمدن الذكية وما وراء ذلك“.
ومن المقرر أن تستمر العملاق الكوري في التوسع في سوق الذاكرة والمنافسة بإصدارات جديدة خلال عام 2021.
